PSMN3R8-30LL,115
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | PSMN3R8-30LL,115 |
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Hersteller / Marke: | NXP USA Inc. |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 69W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2085 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | PSMN3 |
PSMN3R8-30LL,115 Einzelheiten PDF [English] | PSMN3R8-30LL,115 PDF - EN.pdf |
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